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      泡生法晶體生長

      2011-05-05

             泡生法(Kyropoulos method)的原理與提拉法類似。首先原料熔融,再將一根受冷的籽晶與熔體接觸,如果界

      面的溫度低于凝固點,則籽晶開始生長。為了使晶體不斷長大,就需要逐漸降低熔體的溫度,同時旋轉晶體,以

      改善熔體的溫度分布。也可以緩慢(或分階段地)上提晶體,以擴大散熱面。晶體在生長過程中或生長結束時不與

      坩堝壁接觸,這就大大減少了晶體的應力,不過,當晶體與剩余的熔體脫離時,通常會產生較大的熱沖擊。

             泡生法與提拉法的區別在于,泡生法是利用溫度控制生長晶體,生長時只拉出晶體頭部,晶體部分依靠溫度變

      化來生長,而拉出頸部的同時,調整加熱電壓以使得熔融的原料達到最合適的生長溫度范圍。

             二十世紀七十年代以后,該法已經較少用于生長同成分熔化的化合物,而多用于含某種過量組分的體系,可

      以認為目前常用的高溫溶液頂部籽晶法是該方法的改良和發展。

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